Escribe | Placa de cuarzo transparente |
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Solicitud | Semiconductores, ópticos |
Espesor | 0,5-100 mm |
Forma | Cuadrado |
Servicio de procesamiento | Doblado, Soldadura, Punzonado, Corte |
Tipo | Placa de cuarzo transparente |
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Uso | Semiconductores, ópticos |
Grueso | 0,5-100 mm |
forma | cuadrado |
Proceso de servicio | Doblado, soldadura, punzonado, corte, pulido |
Tipo | Placa de cuarzo transparente |
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Uso | Semiconductores, ópticos |
Grueso | 0.5-100m m |
Forma | Cuadrado |
Proceso de servicio | Doblado, soldadura, punzonado, corte, pulido |
Material | SiO2 |
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Densidad | 2.2g/cm3 |
Dureza | Morse 6,5 |
Temperatura de trabajo | 1100℃ |
Transmitencia ULTRAVIOLETA | el 80% |
Material | 99,99% |
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Transmitencia ligera | el 92% |
Densidad | 2.2g/cm3 |
Temparature de trabajo | 1100℃ |
Dureza | Morse 6,5 |
material | EL SIO2>99.999% |
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densidad | 2,2 (g/cm3) |
Transmitencia ligera | >el 92% |
Dureza | Morse 6,5 |
Temperatura de trabajo | 1100℃ |
Tipo | Placa clara del cuarzo |
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Uso | Semiconductor, óptico |
Grueso | 0.5-100m m |
Forma | Cuadrado |
Proceso de servicio | Doblez, soldadura, perforando, corte |
Tipo | Placa clara del cuarzo |
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uso | Semiconductor, óptico |
Grueso | 0.5-100m m |
Forma | Cuadrado |
Proceso de servicio | Doblez, soldando con autógena, perforando, el cortar, puliendo |
Material | SiO2 |
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Dureza | Morse 6,5 |
Temperatura de trabajo | 1100℃ |
Calidad superficial | 20/40 o 40/60 |
Fuerza de Dieletric | los 250~400Kv/cm |
Material | SiO2 |
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Dureza | Morse 6,5 |
Temperatura de trabajo | 1100℃ |
Calidad superficial | 20/40 o 40/60 |
Fuerza de Dieletric | los 250~400Kv/cm |