| Material | EL SIO2>99.99% |
|---|---|
| Densidad | 2,2 (g/cm3) |
| Transmitencia ligera | >el 92% |
| Dureza | Morse 6,5 |
| Temperatura de trabajo | 1100℃ |
| Material | SiO2 |
|---|---|
| Temparature de trabajo | 1200℃ |
| Punto del derretimiento | 1850℃ |
| forma | Cuadrado/redondo/cualquier forma |
| Grueso | 1mm-50m m |
| Escribe | Placa clara del cuarzo |
|---|---|
| Solicitud | Semiconductor, óptico |
| espesor | 0.5-100m m |
| Forma | Cuadrado |
| Servicio de Procesamiento | Perforación, cortando |
| Tipo | Placa clara del cuarzo |
|---|---|
| uso | Semiconductor, óptico |
| Grueso | 0.5-100m m |
| Forma | Cuadrado |
| Proceso de servicio | Doblez, soldando con autógena, perforando, el cortar, puliendo |
| Tipo | Placa clara del cuarzo |
|---|---|
| uso | Luz UV, óptica |
| Grueso | 0.5-100m m |
| Forma | Cuadrado |
| Proceso de servicio | Doblez, soldadura, perforando, corte |
| Tipo | Placa clara del cuarzo |
|---|---|
| uso | Semiconductor, óptico |
| Grueso | 0.5-100m m |
| Forma | Cuadrado |
| Proceso de servicio | Doblez, soldando con autógena, perforando, el cortar, puliendo |
| Material | EL SIO2>99.99% |
|---|---|
| Densidad | 2,2 (g/cm3) |
| Transmitencia ligera | >el 92% |
| Dureza | Morse 6,5 |
| Temperatura de trabajo | 1100℃ |
| Tipo | Placa clara del cuarzo |
|---|---|
| Solicitud | Semiconductor, óptico |
| Grueso | 0.5-100m m |
| Forma | Cuadrado |
| Proceso de servicio | Punzonado, corte, pulido |
| Nombre de Prodcut | Placa de cristal de cuarzo |
|---|---|
| Transmitencia ligera | >el 92% |
| Densidad | 2.2g/cm3 |
| Temparature de trabajo | 1100℃ |
| Dureza | Morse 6,5 |
| Tipo | Placa de cuarzo transparente |
|---|---|
| Solicitud | Semiconductor, óptico |
| Espesor | 0.5-100 mm |
| Forma | Mezclado |
| Servicio de procesamiento | Doblar, soldar, golpear, pulir |