Material | SiO2 |
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Dureza | Morse 6,5 |
Temperatura de trabajo | 1100℃ |
Calidad superficial | 20/40 o 40/60 |
Fuerza de Dieletric | los 250~400Kv/cm |
Palabra clave | Cristalería de laboratorio de ciencia |
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Nombre | instrumento modificado para requisitos particulares laboratorio de cristal del cuarzo del proceso |
Material | silicio fundido |
Temperatura de trabajo | 1100°C |
Tolerancia ácida | 30 veces que cerámica |