| Material | SiO2 |
|---|---|
| Dureza | Morse 6,5 |
| Temperatura de trabajo | 1100℃ |
| Calidad superficial | 20/40 o 40/60 |
| Fuerza de Dieletric | los 250~400Kv/cm |
| Material | SiO2 |
|---|---|
| Dureza | Morse 6,5 |
| Temperatura de trabajo | 1100℃ |
| Calidad superficial | 20/40 o 40/60 |
| Fuerza de Dieletric | los 250~400Kv/cm |
| Escribe | Placa clara del cuarzo |
|---|---|
| Solicitud | Semiconductor, óptico |
| espesor | 0.5-100m m |
| Forma | Cuadrado |
| Servicio de Procesamiento | Doblez, soldando con autógena, perforando, el cortar, puliendo |
| Escribe | Placa clara del cuarzo |
|---|---|
| Solicitud | Semiconductor, óptico |
| espesor | 0.5-100m m |
| Forma | Cuadrado |
| Servicio de Procesamiento | Perforación, cortando |
| El tipo | Placas de cuarzo congelado |
|---|---|
| Aplicación | Semiconductor, óptico |
| El grosor | 0.5 a 100 mm |
| Forma de las piezas | El paso |
| Servicio de tratamiento | Las demás partes del tejido de las piezas de acero |
| Material | SiO2 |
|---|---|
| Dureza | Morse 6,5 |
| Temperatura de trabajo | 1200℃ |
| Calidad superficial | 20/40 o 40/60 |
| Fuerza de Dieletric | los 250~400Kv/cm |
| Material | SiO2 |
|---|---|
| Dureza | Morse 6,5 |
| Temperatura de trabajo | 1100℃ |
| Calidad superficial | 20/40 o 40/60 |
| Fuerza de Dieletric | los 250~400Kv/cm |
| Material | SiO2 |
|---|---|
| Dureza | Morse 6,5 |
| Temperatura de trabajo | 1200℃ |
| Calidad superficial | 20/40 o 40/60 |
| Fuerza de Dieletric | los 250~400Kv/cm |
| Nombre de producto | El trabajar a máquina del vidrio de la precisión |
|---|---|
| Material | Sio2 |
| Dureza | Morse 6,5 |
| Temperatura de trabajo | 1100℃ |
| Calidad superficial | 20/40 o 40/60 |
| Nombre de producto | El trabajar a máquina del vidrio de la precisión |
|---|---|
| Material | Sio2 |
| Dureza | Morse 6,5 |
| Temperatura de trabajo | 1200℃ |
| Calidad superficial | 20/40 o 40/60 |