Material | SiO2 |
---|---|
Dureza | Morse 6,5 |
Temperatura de trabajo | 1100℃ |
Calidad superficial | 20/40 o 40/60 |
Fuerza de Dieletric | los 250~400Kv/cm |
Material | SiO2 |
---|---|
Dureza | Morse 6,5 |
Temperatura de trabajo | 1100℃ |
Calidad superficial | 20/40 o 40/60 |
Fuerza de Dieletric | los 250~400Kv/cm |
Material | SiO2 |
---|---|
Dureza | Morse 6,5 |
Temperatura de trabajo | 1100℃ |
Calidad superficial | 20/40 o 40/60 |
Fuerza de Dieletric | los 250~400Kv/cm |
Nombre de producto | El trabajar a máquina del vidrio de la precisión |
---|---|
Material | Sio2 |
Dureza | Morse 6,5 |
Temperatura de trabajo | 1100℃ |
Calidad superficial | 20/40 o 40/60 |
Escribe | Placa clara del cuarzo |
---|---|
Solicitud | Semiconductor, óptico |
espesor | 0.5-100m m |
Forma | Cuadrado |
Servicio de Procesamiento | Perforación, cortando |
Material | SiO2 |
---|---|
Dureza | Morse 6,5 |
Temperatura de trabajo | 1200℃ |
Calidad superficial | 20/40 o 40/60 |
Fuerza de Dieletric | los 250~400Kv/cm |
Material | SiO2 |
---|---|
Dureza | Morse 6,5 |
Temperatura de trabajo | 1200℃ |
Calidad superficial | 20/40 o 40/60 |
Fuerza de Dieletric | los 250~400Kv/cm |
Nombre de producto | El trabajar a máquina del vidrio de la precisión |
---|---|
Material | Sio2 |
Dureza | Morse 6,5 |
Temperatura de trabajo | 1200℃ |
Calidad superficial | 20/40 o 40/60 |
Tipo | Placa clara del cuarzo |
---|---|
Uso | Semiconductor, óptico |
Grueso | 0.5-100m m |
Forma | Cuadrado |
Proceso de servicio | Doblez, soldando con autógena, perforando, el cortar, puliendo |
Tipo | Placa clara del cuarzo |
---|---|
Uso | Semiconductor, óptico |
Grueso | 0.5-100m m |
Forma | Cuadrado |
Proceso de servicio | Perforación, cortando |