| Tipo | Placa clara del cuarzo |
|---|---|
| uso | Luz UV, óptica |
| Grueso | 0.5-100m m |
| Forma | Cuadrado |
| Proceso de servicio | Doblez, soldadura, perforando, corte |
| Material | silicio fundido |
|---|---|
| Temperatura de trabajo | 1100℃ |
| Tolerancia ácida | 30 veces que cerámica |
| Dureza | Morse 6,5 |
| Densidad | 2.2g/cm3 |
| Nombre de producto | Cubeta del cuarzo |
|---|---|
| Material | silicio fundido |
| temperatura de trabajo | 1100℃ |
| Tolerancia al ácido | 30 veces más que la cerámica |
| Dureza | Morse 6.5 |
| El tipo | portador de obleas de cuarzo |
|---|---|
| Aplicación | Semiconductor, óptico |
| El grosor | 0.5 a 100 mm |
| Forma de las piezas | Cuadrado |
| Servicio de tratamiento | Las demás partes del tejido de las piezas de acero |
| El tipo | Placa de cuarzo transparente |
|---|---|
| Aplicación | Semiconductor, óptico |
| El grosor | 0.5 a 100 mm |
| Forma de las piezas | Cuadrado |
| Servicio de tratamiento | Golpear, cortar |
| Material | SiO2 |
|---|---|
| densidad | 2.2g/cm3 |
| Dureza | Morse 6,5 |
| Temperatura de trabajo | 1100℃ |
| Transmitencia ULTRAVIOLETA | el 80% |
| Material | SiO2 |
|---|---|
| densidad | 2.2g/cm3 |
| Dureza | Morse 6,5 |
| Temperatura de trabajo | 1100℃ |
| Transmitencia ULTRAVIOLETA | el 80% |
| Material | SiO2 |
|---|---|
| densidad | 2.2g/cm3 |
| Dureza | Morse 6,5 |
| Temperatura de trabajo | 1100℃ |
| Transmitencia ULTRAVIOLETA | el 80% |
| Nombre de producto | Tubo del cuarzo |
|---|---|
| Material | Sio2 |
| dureza | Morse 6,6 |
| Punto del derretimiento | 1730℃ |
| Temparature de trabajo | 1100℃ |
| Material | SiO2 |
|---|---|
| Dureza | Morse 6,5 |
| Temperatura de trabajo | 1200℃ |
| Calidad superficial | 20/40 o 40/60 |
| Fuerza de Dieletric | los 250~400Kv/cm |
