| Material | SiO2 |
|---|---|
| Temparature de trabajo | 1200℃ |
| Punto del derretimiento | 1850℃ |
| forma | Cuadrado/redondo/cualquier forma |
| Grueso | 1mm-50m m |
| SiO2 | 99,99% |
|---|---|
| Temparature de trabajo | 1200℃ |
| Punto del derretimiento | 1750-1850℃ |
| Uso | Laboratorio, biología, médica |
| Color | Transparente |
| Tipo | Placa clara del cuarzo |
|---|---|
| Uso | Semiconductor, óptico |
| Grueso | 0.5-100m m |
| Forma | Cuadrado |
| Proceso de servicio | Doblez, soldando con autógena, perforación, puliendo |
| Color | Claro/transparente |
|---|---|
| Material | SiO2> 99.99% |
| Tipo de material | JGS1/JGS2/JGS3 |
| Dureza | Morse 6,6 |
| Densidad | 2.2g/cm3 |
| Material | EL SIO2>99.99% |
|---|---|
| Densidad | 2.2g/cm3 |
| Dureza | Morse 6,5 |
| Punto del derretimiento | 1750-1850℃ |
| Temperatura de trabajo | 1110℃ |
| Material | SiO2 |
|---|---|
| Dureza | Morse 6,5 |
| Temperatura de trabajo | 1100℃ |
| Calidad superficial | 20/40 o 40/60 |
| Fuerza de Dieletric | los 250~400Kv/cm |
| Material | EL SIO2>99.99% |
|---|---|
| Densidad | 2.2g/cm3 |
| Dureza | Morse 6,5 |
| Punto del derretimiento | 1750-1850℃ |
| Temperatura de trabajo | 1110℃ |
| material | EL SIO2>99.99% |
|---|---|
| densidad | 2.2g/cm3 |
| Dureza | Morse 6,5 |
| Punto del derretimiento | 1750-1850℃ |
| Temperatura de trabajo | 1110℃ |
| Nombre de producto | Placa de cristal de cuarzo |
|---|---|
| Material | 99,99% |
| Transmitencia ligera | el 92% |
| Densidad | 2.2g/cm3 |
| Temparature de trabajo | 1100℃ |
| Nombre de producto | Placa de cristal de cuarzo |
|---|---|
| Material | EL SIO2>99.999% |
| Densidad | 2,2 (g/cm3) |
| Transmitencia ligera | >el 92% |
| Dureza | Morse 6,5 |